ChangXin Memory Technologies (CXMT) ha dado un paso mucho más importante de lo previsto en su carrera por alcanzar a los grandes fabricantes de memoria: iniciar la producción en masa de la memoria LPDDR6. Y es que la compañía china ha anunciado oficialmente el inicio de la producción en masa de sus memorias LPDDR6. Este anuncio llega apenas unas semanas después de que se conociera que sus primeros chips se encontraban todavía en la fase final de validación. CXMT consigue así entrar desde el principio en una nueva generación de DRAM móvil que estará destinada a smartphones de gama alta, portátiles ultradelgados y dispositivos preparados para ejecutar modelos de inteligencia artificial de forma local.
El avance también es relevante porque CXMT no está hablando únicamente de prototipos o muestras para fabricantes. Xiaomi ya ha sido confirmada como uno de sus primeros clientes, y utilizará esta memoria en su próximo Xiaomi 18 Fold, cuyo lanzamiento está previsto para septiembre. CXMT consigue por tanto pasar de la producción de riesgo de LPDDR6 que conocimos a principios de agosto a disponer de un producto comercialmente listo para integrarse en uno de los smartphones más avanzados del fabricante chino.
CXMT inicia la producción en masa de chips LPDDR6 de hasta 12,8 Gbps
La memoria LPDDR6 de CXMT alcanzará velocidades de transferencia de hasta 12,8 Gbps por pin, de acuerdo con las especificaciones conocidas hasta ahora. La compañía había estado trabajando con chips de 16 Gb y configuraciones capaces de alcanzar hasta 16 GB de capacidad por encapsulado, mientras completaba durante agosto las últimas fases de validación con sus clientes. A comienzos de este mismo mes todavía se hablaba de una producción de riesgo y de un posible inicio de la fabricación en masa hacia finales de 2026, pero CXMT parece haber conseguido acelerar considerablemente el calendario.
La memoria LPDDR6 representa un salto importante respecto a LPDDR5 y LPDDR5X. El estándar JESD209-6, publicado por JEDEC en julio de 2025, contempla velocidades comprendidas entre 10,66 Gbps y 14,4 Gbps por pin, además de reorganizar la interfaz utilizando dos subcanales independientes de 12 bits por die. La nueva generación también introduce mejoras relacionadas con la eficiencia energética, gestión de energía, fiabilidad y disponibilidad de la memoria, aspectos especialmente importantes para smartphones y dispositivos que ejecuten modelos de IA localmente.
CXMT no alcanzará inicialmente el máximo teórico de 14,4 Gbps establecido por JEDEC, pero sus 12,8 Gbps ya colocan a su primera generación de LPDDR6 dentro de la parte alta del nuevo estándar. El primer producto conocido que aprovechará esta memoria será el Xiaomi 18 Fold, donde se combinará además con la nueva plataforma de hardware XRING O3 del fabricante chino. Reuters confirma que CXMT suministrará estas memorias para el dispositivo, proporcionando al fabricante chino un cliente comercial prácticamente desde el comienzo de su producción.
CXMT recorta distancias con Samsung, SK hynix y Micron mucho más rápido de lo esperado
El anuncio resulta especialmente significativo por la velocidad con la que CXMT está reduciendo su desventaja tecnológica frente a los tres grandes fabricantes mundiales de DRAM. SK hynix anunció en marzo su propia LPDDR6 de 16 Gb, fabricada mediante su proceso 1c de sexta generación (10 nm). La compañía aseguró una mejora de rendimiento de alrededor del 33% y una reducción de consumo superior al 20% frente a LPDDR5X. La compañía surcoreana tenía previsto preparar su producción en masa durante la primera mitad de 2026 y comenzar los envíos comerciales durante esta segunda mitad del año.
Lo llamativo es que CXMT comenzó a fabricar en masa memoria de la generación LPDDR5 aproximadamente un año antes de este anuncio, por lo que su salto hasta LPDDR6 se ha producido en un espacio de tiempo extraordinariamente corto. Esto no significa necesariamente que sus procesos de fabricación, eficiencia o volúmenes estén ya al nivel de Samsung, SK hynix o Micron, pero sí demuestra que la brecha tecnológica entre el fabricante chino y los líderes históricos de la industria se está reduciéndose rápidamente.
Para China, además, el desarrollo tiene una importancia estratégica evidente. CXMT se ha convertido en su principal fabricante doméstico de DRAM y actualmente compite directamente en un mercado históricamente dominado por Samsung, SK hynix y Micron. Este movimiento también permitirá a fabricantes chinos, como Xiaomi, reducir progresivamente su dependencia de proveedores extranjeros para memorias de gama alta. El siguiente desafío para CXMT será demostrar que puede mantener buenos rendimientos de fabricación, aumentar rápidamente la producción disponible y competir también en costes y eficiencia cuando sus rivales desplieguen su memoria.
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