ChangXin Memory Technologies, más conocida como CXMT, habría iniciado la fase de producción de riesgo de sus primeros chips de memoria LPDDR6. Este es el primer paso previo a la fabricación en masa. Hablamos de una producción a pequeña escala para únicamente comprobar el rendimiento, la estabilidad y la tasa de chips funcionales de la línea de producción.
La compañía china está preparada así para producir sus primeros chips LPDDR6 de 16 Gb de capacidad capaces de alcanzar una velocidad máxima de 12,8 Gbps, con una frecuencia base de 10,7 Gbps y un encapsulado PoP de 1.295 bolas. CXMT todavía no ha anunciado oficialmente cuándo comenzará la producción en masa, pero fuentes próximas a la empresa aseguran que podría fabricar los primeros lotes hacia finales de 2026, siempre y cuand las pruebas con los prototipos ofrezcan resultados satisfactorios, claro.
CXMT comienza a fabricar la primera memoria LPDDR6 de procedencia china
El desarrollo de una memoria DRAM atraviesa numerosas etapas antes de poder fabricarse en masa e instalarse en millones de dispositivos. Tras verificar individualmente el funcionamiento del chip y completar la validación de investigación y desarrollo, CXMT habría pasado a la fase de producción de riesgo o validación mediante lotes pequeños. En esta etapa se ajusta la maquinaria, se comprueba la consistencia del proceso y se determina si puede mantenerse una tasa de rendimiento suficientemente elevada para iniciar la fabricación en masa. Como tasa de rendimiento nos referimos al porcentaje de chips funcionales que son capaces de “imprimir” por oblea. Un número muy bajo significa que cada chip de memoria sería muy costoso, pues cargará con el peso de los chips que no son útiles para su venta.
En resumen: CXMT todavía no está produciendo memoria LPDDR6 a gran escala. La empresa debe demostrar que puede fabricar de forma repetible chips que funcionen a las velocidades indicadas, con un consumo energético adecuado y sin problemas de compatibilidad. Si los resultados son positivos, la producción limitada podría comenzar a tomar forma a finales de este año, mientras que la fabricación masiva llegaría en algún momento de 2027.
Los 12,8 Gbps previstos para la primera generación de CXMT representan un salto considerable respecto a sus memorias LPDDR5X, aunque estarán en por detrás de su competencia en términos de rendimiento. Por ejemplo, SK hynix acaba de presentar una memoria LPDDR6 fabricada mediante su proceso 1c de clase 10 nanómetros. Si bien ofrece la misma densidad de 16 Gb, en cuanto a rendimiento, prometen velocidades que podrían llegar hasta los 14,4 Gbps. Aun así, alcanzar 12,8 Gbps colocaría a CXMT mucho más cerca de los fabricantes surcoreanos de lo que estaba hace apenas unos años.
China quiere aprovechar que su competencia está priorizando la memoria HBM para IA
CXMT buscará aprovecharse así de una oportunidad abierta por el enorme crecimiento de la inteligencia artificial. Samsung, SK hynix y Micron están dedicando prácticamente todos sus recursos a la capacidad de fabricación a memorias HBM y DRAM para servidores. Esta memoria es mucho más rentable y fundamental para los aceleradores de IA. Esta situación puede dejar más espacio en el mercado de memorias móviles para un fabricante chino dispuesto a competir principalmente mediante volumen y precios.
La memoria LPDDR6 será especialmente importante en los smartphones y portátiles de nueva generación, por no hablar de dispositivos con inteligencia artificial local. Además de aumentar el ancho de banda, el nuevo estándar busca reducir el consumo energético y permitir que tanto los procesadores como las NPU accedan más rápidamente a los modelos y datos almacenados en memoria. Esto facilitará ejecutar asistentes generativos, traducción, procesamiento de imágenes y otras funciones directamente en el dispositivo, reduciendo la dependencia de servidores remotos.
CXMT sigue siendo mucho más pequeña que sus principales competidores. Samsung, SK hynix y Micron controlaron en su conjunto cerca del 90% del mercado mundial de DRAM durante el primer trimestre de 2026. Sin embargo, CXMT está ampliando rápidamente su capacidad de producción. Justo ayer conocíamos que estudia construir una segunda fábrica de DRAM en Pekín, mientras desarrolla otras instalaciones en Shanghái y Hefei. Si todos esos proyectos entran en funcionamiento, su capacidad podría superar las 600.000 obleas mensuales. Esto le proporcionaría la escala necesaria para convertir sus avances tecnológicos en una amenaza comercial real para los tres grandes fabricantes de memoria.
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